Appareil automatique C-V par contact mercure

CVmap3093ACAppareil automatique C-V par contact mercure

Les systèmes Full-Auto CVMAP permettent de former localement un contact électrique "doux" de type MOS,MIS ou Schottky permettant ainsi l'analyse des différents paramètres intrinsèques du matériau comme courant de claquage, densité de dopage, constante diélectrique (K,Qbd, TDDB) etc..
Grâce à son système cassette/cassette et la présence d'un aligneur automatique, le système va être capable de cartographier l'ensemble de la surface d'un wafer de 12 pouces de manière entièrement automatisée sans l'intervention de l'utilisateur. Le wafer et récupéré dans sa cassette, aligner et positionné sur le chuck puis mesuré. Une fois la mesure terminé, il est automatiquement remeis à sa place et au bon slot.
L'ensemble du test s'effectue de manière entièrement sécurisée puisqu'aucun contact direct n'est possible entre l'utilisateur et l'échantillon pendant la mesure.
A l'inverse des mesures type Van Der Paw ou 4 pointes en ligne, cette technique permet de ne pas endommager la couche surfacique du matériau à analyser tout en augmentant la précision sur la mesure

Surface mesurables:

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Fibre de carbone
- Couche USJ
- Jusqu'a 300mm de diamètre

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2


Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)
A PROPOS DE NOS Systèmes full-automatiques
Les systèmes CVMAP full-automatisés permettent de former localement un contact électrique "doux" de type MOS, MIS ou Schottky permettant ainsi l'analyse des différents paramètres intrinsèques du matériau comme le courant de claquage, la densité de dopage, la constante diélectrique (K, Qbd, TDDB) etc...
Grâce à son système cassette/cassette et la présence d'un aligneur automatique, le système va être capable de cartographier l'ensemble de la surface d'un wafer de 12 pouces de manière entièrement automatisée sans l'intervention de l'utilisateur. Le wafer est récupéré dans sa cassette (foup), aligné et positionné sur le chuck puis mesuré. Une fois la mesure terminée, il est automatiquement remis dans son slot, à sa place.
L'ensemble du test s'effectue de manière entièrement sécurisée puisqu'aucun contact direct n'est possible entre l'utilisateur et l'échantillon pendant la mesure.
A l'inverse des mesures type Van Der Paw ou 4 pointes en ligne, cette technique permet de ne pas endommager la couche surfacique du matériau à analyser tout en augmentant la précision sur la mesure.


Surfaces mesurables :

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI ( Silicon on insulator)
- Oxyde de silicium
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Film de carbone
- Couche USJ
- Composants semi-conducteur

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2
• Cartographie cartésienne ou customisée.
• Plusieurs configurations de tête de mesure possible : dot, ring/dot, ring/ring/dot




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