Appareil manuel C-V par contact mercure

CV92MAppareil manuel C-V par contact mercure

Le modèle manuel CV92M, est une station manuelle permettant la caractérisation de couche semi-conductrice par contact mercure.
L'échantillon est positionné sur un chuck au-dessus d'une sonde contenant la goutte de mercure. Lorsque l'utilisateur actionne le bouton poussoir, la sonde se rapproche de l'échantillon et une infime goutte de mercure et libérée afin d'assurer le contact électrique. Les mouvements du chuck sont motorisés et un panneau de contrôle permet de lire sa position en temps réel. La sonde et le chuck connecté en BNC, permettent la communication avec un appareil source-mesure externe (qui peut être fourni).
CV92M est parfaitement adapté pour des utilisateurs qui cherche à faire de mesure via contact mercure à faible coût, de manière sécurisée et facile d'utilisation.

Surface mesurables:

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Fibre de carbone
- Couche USJ
- Jusqu'a 300mm de diamètre

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2
• Ultra répétable
• Différents type de mesure (1pt, Rayon, Ligne)

Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)
A PROPOS DE NOS Systèmes manuels
Les systèmes manuels CVMAP permettent de former localement un contact électrique "doux" de type MOS,MIS ou Schottky permettant ainsi l'analyse des différents paramètres intrinsèques du matériau comme courant de claquage, densité de dopage, constante diélectrique (K,Qbd, TDDB) etc..
A l'inverse des mesures type Van Der Paw ou 4 pointes en ligne, cette technique permet de ne pas endommager la couche surfacique du matériau à analyser.

La face active de l'échantillon est placée sur un chuck, puis par aspiration, une goutte de mercure monte de son réservoir jusqu'à l'échantillon. La mesure s'effectue donc de manière entièrement sécurisée puisqu'aucun contact direct n'est possible entre l'utilisateur et le substrat.

Surfaces mesurables :

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI ( Silicon on insulator)
- Oxyde de silicium
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Film de carbone
- Couche USJ
- Composants semi-conducteur

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact de la goutte : 2E-5 cm2
• Plusieurs configurations de tête de mesure possible : dot, ring/dot, ring/ring/dot



Pour toute information, devis, commande ou demande de rendez-vous avec un spécialiste technico-commercial. +33 (0)476 561 617

5 rue de la Verrerie

38120 Le Fontanil-Cornillon

Grenoble / France

Fax : +33(0) 476 757 484

RCS Grenoble B 381 001 171 - APE 4652Z

TVA FR 48 381 001 171