CVmap3093Appareil semi-automatique C-V par contact mercure
Les sytèmes CVmap semi-automatique peuvent effectuer des tracés C(V) et I(V) à divers fréquences (jusqu'à 10MHz) pour des larges gammes courant, sur des sites customisables. Ces systèmes permettent la mesure de manière ultra-répétable de différents paramètres physiques de nombreux types d'échantillons comme les SOI, les SiC les films à faible et à haut K, les oxydes extrêmement mince ou épais, les semi-conducteurs dopés, les couches USJ (densité de porteurs), les films de carbone.
La partie software permet la configuration de plusieurs type de mesure et l'affichage des résultats de manière simple et rapide. Nous avons donc accès aux épaisseurs du film isolant, aux constantes diélectriques, aux courants de fuite, aux densités d'implant ionique à faible dose, aux densités de dopage épitaxial mais aussi aux paramètres d'intégrité des oxides tels que leurs Qbd, TDDB, densité de défauts, tension de claquage et la distribution des pièges d'interface.
Grâce à des connexions à une station de sonde externe, un wafer avec des motifs de Si, d'Al ou d'une autre grille métallique peuvent également être testés et cartographiés le tout de manière entièrement sécurisé.
Spécifications :
• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2
Application :
- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)
La partie software permet la configuration de plusieurs type de mesure et l'affichage des résultats de manière simple et rapide. Nous avons donc accès aux épaisseurs du film isolant, aux constantes diélectriques, aux courants de fuite, aux densités d'implant ionique à faible dose, aux densités de dopage épitaxial mais aussi aux paramètres d'intégrité des oxides tels que leurs Qbd, TDDB, densité de défauts, tension de claquage et la distribution des pièges d'interface.
Grâce à des connexions à une station de sonde externe, un wafer avec des motifs de Si, d'Al ou d'une autre grille métallique peuvent également être testés et cartographiés le tout de manière entièrement sécurisé.
Spécifications :
• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2
Application :
- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)