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SRS3      Wafer de calibration certifié NIST

SRS3      Wafer de calibration certifié NIST

Description Spécifications techniques Documents Produits associés
SRS3 : Wafer de calibration certifié NIST

Référence

SRS3

Désignation

Wafer de calibration certifié NIST

Description

Ce wafer permet de calibrer les systèmes de mesures de résistivité 4 pointes. Il pocéde la certification NIST.

Spécifications :

• Wafer 3" (75mm)
• Certification NIST valable 1 an

Références courantes

  • SRS3-0.002 : Résistivité de 0,002 ohm.cm
  • SRS3-0.01 : Résistivité de 0,01 ohm.cm
  • SRS3-0.03 : Résisitivité de 0,03 ohm.cm
  • SRS3-0.1 : Résistivité de 0,1 ohm.cm
  • SRS3-0.3 : Résistivité de 0,3 ohm.cm
  • SRS3-0.9 : Résistivité de 0,9 ohm.cm
  • SRS3-3 : Résistivité de 3 ohm.cm

DOCUMENTS

Spécifications techniques

Gamme de résistance surfacique

0,002 à 3 Ohm.cm

Taille du wafer

76,2 mm

Matériau

Silicium

Epaisseur

508 µm

Nombre de sites

1

Certification NIST

Oui

Produits associés

MW-Pack4PP-MEnsemble de mesure 4 pointes manuel gamme moyenne résistivité

Système de mesure 4 pointes pour laboratoires, pour la recherche et petites productions. Le stand comprend plusieurs fonctionnalités lui permettant d'assurer des mesures de résistivité et de résistance de surface grâce à 4 pointes précises. Il est possible de caractériser les matériaux fabriqués par dopage semi-conducteur, dépot de métal ou sur verre, matériaux caoutchouc...

Un levier manuel permet de faire un mouvement en Z de contact et non contact avec une répétabilité de l'ordre du micron. De plus, une molette de réglage située sur le dessus de l'appareil permet d'affiner avec précision le mouvement en Z.
L'échantillon à tester est monté sur un support mobile qui permet de se placer sous la tête de mesure facilement entre chaque point de mesure.
De plus, l'équipement dispose de plusieurs tailles de chuck allant de 4" à 12".

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

Spécifications:


• Mesure V/I, résistance de feuille, résistivité ou épaisseur
• Mapping
• Un micro-switch permet d'assurer l'injection du courant à partir du moment où toutes les pointes sont en contact.
• La mesure est effectuée par un appareil externe Keithley 2450.
• Logiciel permettant le traitement des données
• Création d'une courbe I/V
• Mesure bipolaire
• Export de données sous format Txt, Excel, CSV...

Le système de mesure utilise un logiciel de mesure et d'affichage des résultats qui permet l'exportation des données pour un traitement de données postérieur. Il est possible d'effectuer une cartographie de l'échantillon en fonction des résistivités ou des épaisseurs mesurées.
L'utilisateur saisit la taille et forme de l'échantillon, bord d'exclusion et nombre de point à tester. Une image graphique des points de mesure cibles est affichée. A la fin du test de tous les points, nous retrouvons la moyenne des valeurs mesurées, l'écart type ainsi que les maximums et minimums de mesure.

S302Stand de mesure 4 pointes

Le système se compose d'une potence de maintien de la tête 4PP avec levier de descente et d'un plateau de réception pour wafer 100 ou 150 mm. Le positionnement de l'échantillon est manuel ainsi que la mise en contact de la tête 4 pointes sur l'échantillon.

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

Spécifications :

• Un micro-switch permet d'assurer l'injection du courant à partir du moment où toutes les pointes sont en contact
• La mesure est effectuée par un appareil externe de type Keithley qui peut faire partie de la fourniture
• Le système peut être complété par le logiciel de mesure et d'affichage des résultats
• Parfait pour pour laboratoires, universités, centres de recherche... dans le domaine caractérisation de matériaux

280ISystème de mesure 4 pointes semi-automatique 8"

Systèmes semi-automatique de mesure 4 pointes en ligne sur échantillon allant de 10mm à 200mm de diamètre.
Grâce à leurs chuck motorisés, les 280I permettent de cartographier jusqu'à 6000 points de mesure sur des gammes de résistance de surface de 1 mohm/sq à 8E5 Ohm/sq.


Spécification:

• Gamme étendu jusqu'à 8E11 Ohm/sq.
• Différentes versions adaptées aux différentes gammes de résistance testées
• Plusieurs types de cartographie : 1pts, 5pts, 9pts, diagonale, carthésien, customisé etc..
• Algorithme de calcul puissant
• Compensation effet de bord, facteur géométrique
• Communication SEC II
• Version possible en Full-Automatique avec chargement de wafers via cassette et pré-aligner


Application:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

333ASystème de mesure 4 pointes semi-automatique 12"

Systèmes semi-automatique de mesure 4 pointes en ligne sur échantillon allant de 10mm à 300mm de diamètre.
Grâce à leurs chuck motorisés, les 333A permettent de cartographier jusqu'à 6000 points de mesure sur des gammes de résistance de surface de 1 mohm/sq à 8E11 Ohm/sq.


Spécification:

• Différentes versions adaptées aux différentes gammes de résistance testées
• Plusieurs types de cartographie : 1pts, 5pts, 9pts, diagonale, carthésien, customisé etc..
• Algorithme de calcul puissant
• Compensation effet de bord, facteur géométrique
• Communication SECS II
• Version possible en Full-Automatique avec chargement de wafers via cassette et pré-aligner


Application:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
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