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CW      Wafer de calibration

Description Spécifications techniques Documents Produits associés
CW : Wafer de calibration

Référence

CW

Désignation

Wafer de calibration

Description

Wafer permettant de calibrer un système 4 pointes

Spécifications :

• Wafer Silicium
• Diamètre 4" (100 mm)


Spécifications techniques

Gamme de résistance surfacique

0,01 à 500 Ohm/sq

Taille du wafer

100 mm

Matériau

Silicium

Epaisseur

460 µm

Nombre de sites

5

Certification NIST

Non

Produits associés

280ISystème de mesure 4 pointes semi-automatique 8"

Systèmes semi-automatique de mesure 4 pointes en ligne sur échantillon allant de 10mm à 200mm de diamètre.
Grâce à leurs chuck motorisés, les 280I permettent de cartographier jusqu'à 6000 points de mesure sur des gammes de résistance de surface de 1 mohm/sq à 8E5 Ohm/sq.


Spécification:

• Gamme étendu jusqu'à 8E11 Ohm/sq.
• Différentes versions adaptées aux différentes gammes de résistance testées
• Plusieurs types de cartographie : 1pts, 5pts, 9pts, diagonale, carthésien, customisé etc..
• Algorithme de calcul puissant
• Compensation effet de bord, facteur géométrique
• Communication SEC II
• Version possible en Full-Automatique avec chargement de wafers via cassette et pré-aligner


Application:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

333ASystème de mesure 4 pointes semi-automatique 12"

Systèmes semi-automatique de mesure 4 pointes en ligne sur échantillon allant de 10mm à 300mm de diamètre.
Grâce à leurs chuck motorisés, les 333A permettent de cartographier jusqu'à 6000 points de mesure sur des gammes de résistance de surface de 1 mohm/sq à 8E11 Ohm/sq.


Spécification:

• Différentes versions adaptées aux différentes gammes de résistance testées
• Plusieurs types de cartographie : 1pts, 5pts, 9pts, diagonale, carthésien, customisé etc..
• Algorithme de calcul puissant
• Compensation effet de bord, facteur géométrique
• Communication SECS II
• Version possible en Full-Automatique avec chargement de wafers via cassette et pré-aligner


Application:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
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