Le système se compose d'une potence de maintien de la tête 4PP avec levier de descente et d'un plateau de réception pour wafer 100 ou 150 mm. Le positionnement de l'échantillon est manuel ainsi que la mise en contact de la tête 4 pointes sur l'échantillon.
Applications :
- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Spécifications :
• Un micro-switch permet d'assurer l'injection du courant à partir du moment où toutes les pointes sont en contact
• La mesure est effectuée par un appareil externe de type Keithley qui peut faire partie de la fourniture
• Le système peut être complété par le logiciel de mesure et d'affichage des résultats
• Parfait pour pour laboratoires, universités, centres de recherche... dans le domaine caractérisation de matériaux
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