CV92MAppareil manuel C-V par contact mercure

Le modèle manuel CV92M, est une station manuelle permettant la caractérisation de couche semi-conductrice par contact mercure.
L'échantillon est positionné sur un chuck au-dessus d'une sonde contenant la goutte de mercure. Lorsque l'utilisateur actionne le bouton poussoir, la sonde se rapproche de l'échantillon et une infime goutte de mercure et libérée afin d'assurer le contact électrique. Les mouvements du chuck sont motorisés et un panneau de contrôle permet de lire sa position en temps réel. La sonde et le chuck connecté en BNC, permettent la communication avec un appareil source-mesure externe (qui peut être fourni).
CV92M est parfaitement adapté pour des utilisateurs qui cherche à faire de mesure via contact mercure à faible coût, de manière sécurisée et facile d'utilisation.

Surface mesurables:

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Fibre de carbone
- Couche USJ
- Jusqu'a 300mm de diamètre

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2
• Ultra répétable
• Différents type de mesure (1pt, Rayon, Ligne)

Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)

CVmap3093Appareil semi-automatique C-V par contact mercure

Les sytèmes CVmap semi-automatique peuvent effectuer des tracés C(V) et I(V) à divers fréquences (jusqu'à 10MHz) pour des larges gammes courant, sur des sites customisables. Ces systèmes permettent la mesure de manière ultra-répétable de différents paramètres physiques de nombreux types d'échantillons comme les SOI, les SiC les films à faible et à haut K, les oxydes extrêmement mince ou épais, les semi-conducteurs dopés, les couches USJ (densité de porteurs), les films de carbone.
La partie software permet la configuration de plusieurs type de mesure et l'affichage des résultats de manière simple et rapide. Nous avons donc accès aux épaisseurs du film isolant, aux constantes diélectriques, aux courants de fuite, aux densités d'implant ionique à faible dose, aux densités de dopage épitaxial mais aussi aux paramètres d'intégrité des oxides tels que leurs Qbd, TDDB, densité de défauts, tension de claquage et la distribution des pièges d'interface.
Grâce à des connexions à une station de sonde externe, un wafer avec des motifs de Si, d'Al ou d'une autre grille métallique peuvent également être testés et cartographiés le tout de manière entièrement sécurisé.

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2

Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)

A PROPOS : Mesures par contact Mercure

Le contact mercure est particulièrement adapté pour lamesure C-V et de résistance de couche sur les implantations de type USJ (Ultra-shallow Junction), sur des substrats fortement dopés ou sur des couches extrêmement fragiles ne supportan pas la pression d'une pointe
Il permet un contact métallique souple contrairement aux méthodes par pointes
• Test non destructif & Contact à pression nulle
• Surface de contact parfaitement reproductible, Conception "sécurité absolue"
• Rafraichissement du mercure avant chaque tests
• Changement de réservoir une à deux fois par an selon usage
• Pour wafers et substrats jusqu'à 12" (300mm)
• Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes.

Pour toute information, devis, commande ou demande de rendez-vous avec un spécialiste technico-commercial. +33 (0)476 561 617

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