Le contact mercure est particulièrement adapté pour lamesure C-V et de résistance de couche sur les implantations de type USJ (Ultra-shallow Junction), sur des substrats fortement dopés ou sur des couches extrêmement fragiles ne supportan pas la pression d'une pointe
Il permet un contact métallique souple contrairement aux méthodes par pointes
• Test non destructif & Contact à pression nulle
• Surface de contact parfaitement reproductible, Conception "sécurité absolue"
• Rafraichissement du mercure avant chaque tests
• Changement de réservoir une à deux fois par an selon usage
• Pour wafers et substrats jusqu'à 12" (300mm)
• Permet de mesurer & caractériser & monitorer un grand nombre de paramètres sur les matériaux semi-conducteurs et la qualité des procédés eux-mêmes.
Epaisseur oxyde, low K high K...
La caractérisation par appareil à contact mercure permet de mesurer et monitorer un grand nombre de paramètres
• Intégrité oxyde et épaisseur
• Détermination low K High K
• Densité de porteurs sur couche EPI et implantée
• ...
CV92M
Appareil manuel C-V par contact mercure
Appareil manuel C-V par contact mercure
Le modèle manuel CV92M, est une station manuelle permettant la caractérisation de couche semi-conductrice par contact mercure.
L'échantillon est positionné sur un chuck au-dessus d'une sonde contenant la goutte de mercure. Lorsque l'utilisateur actionne le bouton poussoir, la sonde se rapproche de l'échantillon et une infime goutte de mercure et libérée afin d'assurer le contact électrique. Les mouvements du chuck sont motorisés et un panneau de contrôle permet de lire sa position en temps réel.
La sonde et le chuck connecté en BNC, permettent la communication avec un appareil source-mesure externe (qui peut être fourni).

CV92M est parfaitement adapté pour des utilisateurs qui cherche à faire de mesure via contact mercure à faible coût, de manière sécurisée et facile d'utilisation.


Avantages:

- Large gamme de matériaux mesurables (isolant, SOI, SiC.) 
- Contact non destructif
- Aucune préparation requise
- Ultra répétable
- Différents type de mesure (1pt, Rayon, Ligne)
CVmap3093
Appareil semi-automatique C-V par contact mercure
Appareil semi-automatique C-V par contact mercure
Les sytèmes CVmap semi-automatique peuvent effectuer des tracés C(V) et I(V) à divers fréquences (jusqu'à 10MHz) pour des larges gammes courant, sur des sites spécifiés par l'utilisateur.
Ces systèmes permettent la mesure de manière ultra-répétable de différents paramètres physiques de nombreux types d'échantillons comme les SOI, les SiC les films à faible et à haut k, les oxydes extrêmement mince ou épais, les semi-conducteurs dopés, les couches USJ (densité de porteurs), les films de carbone.

La partie software permet la configuration de plusieurs type de mesure et l'affichage des résultats de manière simple et rapide. Nous avons donc accès aux épaisseurs du film isolant, aux constantes diélectriques, aux courants de fuite, aux densités d'implant ionique à faible dose, aux densités de dopage épitaxial mais aussi aux paramètres d'intégrité des oxides tels que leurs Qbd, TDDB, densité de défauts, tension de claquage et la distribution des pièges d'interface.

Grâce à des connexions à une station de sonde externe, un wafer avec des motifs de Si, d'Al ou d'une autre grille métallique peuvent également être testés et cartographiés. Les contaminations de four peut être vérifiée avec ce outil aussi.

Avantages:

- Large gamme de matériaux mesurables (isolant, SOI, SiC.) 
- Contact non destructif
- Aucune préparation requise
- Ultra répétable
- Différents type de mesure (1pt, Rayon, Ligne)
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