CARACTERISATION DE COUCHESSystèmes de mesures par Effet Hall

HMS3000Système de mesure par Effet Hall manuel

Le HMS3000 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS3300Système de mesure par Effet Hall manuel hautes températures

Le HMS3300 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS3500Système de mesure par Effet Hall manuel très hautes températures

Le HMS3500 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5000Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

Le modèle HMS5000 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 350K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5300Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

Le modèle HMS5300 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 570K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5300 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5500Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

Le modèle HMS5500 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 770K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5500 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K
- AHT55T5: From 300K to 770K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HCS10Système de mesure à effet hall avec électro-aimant

Le HCS10 est un système de mesure de l'effet Hall avec électro-aimant qui, en utilisant la méthode de Van Der Pauw, permet de mesurer des mobilités, densités, coefficient de Hall et résistivité dans différents types de matériaux.
L'électro-aimant refroidi à l'eau fonctionne en combinaison avec une alimentation électrique programmable et un interrupteur d'inversion de courant très utile pour caractériser certains substrats spéciaux (à faible mobilité de porteurs de charge par exemple)

Spécifications:

• Courant AC/DC
• Champs : -0,9 à 0,9T
• Fréquence Max : 0,1Hz
• Température : 77K à 870K
• Traçage de courbe I(V)
• Système compact

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HCS100Système de mesure à effet Hall en configuration Halbach

Le HCS100 utilise un aimant en configuration Halbach (aimant permanent en configuration donut), afin d'appliquer un champ magnétique DC ou AC sur l'échantillon. La bobine de réseau Halbach a une inductance intrinsèque inférieure à celle des bobines conventionnelles. La bobine de réseau Halbach peut donc produire un champ magnétique relativement élevé à une inductance plus faible et, par conséquent, un facteur de puissance plus élevé par rapport aux bobines conventionnelles.
Ce système est donc un outil puissant pour la caractérisation d’échantillons exigeants, car les mesures de bruit peuvent facilement être supprimées dans la plupart des cas.

Spécifications:

• Courant AC/DC
• Champs : -0,5T à 0,5T
• Température : 77K à 770K
• Traçage de courbe I(V)
• Système compact

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS7000Système de mesure photonique par Effet Hall

Le HMS7000 Photonique va cette fois-ci utiliser la méthode de Van Der Pauw sous illumination pour mesurer la réponse de plusieurs paramètres internes du matériau sous différentes contraintes photoniques. Cet équipement est parfaitement adapté au monde du photo-voltaïque et à l'étude des semi-conducteurs photoélectrique.

Comme pour les autres séries HMS, il va caractériser :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité

Spécifications:

• Aimant fixe : 0.51T
• Module photonique "illumination visible" (LED R,G,B)
• Adaptateur source externe (UV, IR)

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

SPCBPorte-échantillon pour systèmes HMS

Ce porte-échantillon "rapide" est composé d'une carte PCB sur laquelle se fixent par clip l'échantillon à analyser (max 20x20mm )
- Quatre pointes à ressort plaquées or permettent le contact sur les cotés de l'échantillon (dans certains cas une goutte de soudure d'indium sera déposée en plus, selon le type de matériau)
- Montage sans soudure

A PROPOS DE NOS Systèmes de mesures par Effet Hall

Les systèmes de mesure par Effet Hall permettent la caractérisation ultra-rapide de plusieurs paramètres intrinsèques de matériaux conducteurs et semi-conducteurs.
Ils utilisent la méthode de Van Der Pauw, parfaitement adaptée aux mesures sur couches mince et les forces de Lorentz afin de monitorer une dizaine de caractéristique en simultané sous différentes contraintes environnementales.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristique principales :

• Taille d'échantillon variable de 5x5mm à 30x30mm
• Mesure possible en température : 77K - 770K (-196°C à 500°C)
• Mesure possible en champs magnétique variable : 0.25T - 0.9T
• Utilisation d'Electro-aimant
• Mesure de l'effet Seebeck
• Aimant en configuration Halbach
• Mesure possible sous illumination : R,G,B via Led ou UV/IR via adaptateur source externe
• Traçage de courbe I(V), I(R) - Permet de vérifier la qualité du contact ohmique
• Export des datas possible sous .csv (Excel)
• Précision & Reproductibilité : Méthode Van Der Pauw minimise le bruit électrique
• Système de table ultra-compact

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composants optoélectroniques
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymères conducteurs
- Dépôt d'oxydes
- Céramiques & Verres
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque