CARACTERISATION DE COUCHESSystèmes de mesures par Effet HallSystèmes standards

HMS3000Système de mesure par Effet Hall manuel

Découvrez notre système d'effet Hall manuel HMS3000, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille d'échantillon: 5x5mm à 20x20 mm
• Mesure à deux températures, ambiante et 77K
• Aimant simple ou double
• Chambre LN2
• Échantillon de référence ITO
• Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5000Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

Le HMS5000 est un système de mesure par effet Hall motorisé dédié à la caractérisation électrique des matériaux semi-conducteurs par la méthode de Van der Pauw. Conçu pour s'adapter à des échantillons de compositions et de géométries variées, il permet l'extraction précise de nombreux paramètres électriques essentiels.
Compatible avec des mesures en température de 77 K à 350 K, le HMS5000 offre une solution complète pour l'analyse des couches minces semi-conductrices.

Grâce à sa grande polyvalence, le système convient aussi bien aux activités de recherche qu'aux applications de développement et de contrôle qualité dans les domaines des matériaux avancés et de la microélectronique.

Le HMS5000 intègre également un logiciel dédié permettant de vérifier la qualité des contacts ohmiques via le tracé automatique des courbes I-V, garantissant ainsi la fiabilité et la reproductibilité des mesures. Il permet aussi de gérer le mouvement des aimants et les rampes de températures pour tracer la réponse de votre échantillon.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5300Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

Découvrez notre système d'effet Hall semi-automatique HMS5300, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces en température. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Son système semi-automatique de rampe en température et de mesures sous champs magnétique le rend totalement autonome le temps de la mesure.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK : Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350K : De 77K à 350K
- AHT55T3 : De 300K à 570K
- AHT55T5 : From 300K to 770K

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5500Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

Découvrez notre système d'effet Hall semi-automatique HMS5500, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces en température. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Son système semi-automatique de rampe en température et de mesures sous champs magnétique le rend totalement autonome le temps de la mesure.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK : Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350K : De 77K à 350K
- AHT55T3 : De 300K à 570K
- AHT55T5 : From 300K to 770K

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

A PROPOS DE NOS Systèmes standards

Nos deux séries d'équipements à Effet Hall couvrent une large gamme d'applications pour la caractérisation avancée des matériaux semi-conducteurs et couches minces.
Basés sur la méthode de Van der Pauw et l'exploitation des forces de Lorentz, ces systèmes permettent d'analyser simultanément plusieurs paramètres électriques avec une grande précision, même sous différentes contraintes environnementales.

Le HMS offre une solution complète pour l'extraction et l'analyse des propriétés électroniques essentielles des matériaux :

• Mobilité des porteurs de charge
• Densité des porteurs majoritaires
• Identification du type de dopage (P ou N)
• Mesure de la tension et du coefficient de Hall
• Résistance de surface et résistivité

Grâce à leur polyvalence et à leur fiabilité, ces équipements répondent aussi bien aux besoins de la recherche académique qu'aux exigences du contrôle qualité et du développement industriel.

HMS3000 :

• Température fixe : Ambiant ou 77K (-196°C)
• Plusieurs modules d'aimant compatibles (dont deux modules avec aimant variable)

HMS5000 :

• Aimant fixe : 0,51T
• Plusieurs modules de température compatibles (de 77K à 770K)
• Système semi-automatique

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

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