CARACTERISATION DE COUCHESSystèmes de mesures par Effet HallSystèmes standards

HMS3000Système de mesure par Effet Hall manuel

Le HMS3000 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS3300Système de mesure par Effet Hall manuel hautes températures

Le HMS3300 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS3500Système de mesure par Effet Hall manuel très hautes températures

Le HMS3500 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5000Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

Le modèle HMS5000 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 350K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5300Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

Le modèle HMS5300 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 570K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5300 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5500Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

Le modèle HMS5500 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 770K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5500 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K
- AHT55T5: From 300K to 770K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

A PROPOS DE NOS Systèmes standards

Deux séries d'équipements à Effet Hall qui permettent de couvrir une large gamme d'application. Grâce à la méthode Van Der Pauw couplée aux forces de Lorentz, ils rendent possible la caractérisation en simultané de plusieurs paramètres sous différentes contraintes environnementales. Le HMS extrait la mobilité des porteurs de charges, la densité des porteurs majoritaires, le type de dopage (P/N), la tension de Hall, le Coefficient de Hall ou encore la résistances de surface/résistivité.

HMS3000 :

• Température fixe : Ambiant ou 77K (-196°C)
• Plusieurs modules d'aimant compatibles (dont deux modules avec aimant variable)

HMS5000 :

• Aimant fixe : 0,51T
• Plusieurs modules de température compatibles (de 77K à 770K)
• Système semi-automatique

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque