Les systèmes de mesure CV séries utilisent une goutte de mercure pour réaliser un contact doux sur divers types de matériaux. A l'inverse des mesures type Van Der Paw ou 4 pointes en ligne, cette technique permet de ne pas endommager la couche surfacique du matériau à analyser.
Ce contact électrique formé localement peut être de type barrière MOS, MIS ou Schottky et permet donc
plusieurs types de caractérisations électriques ne nécessitant aucune préparation via dépôt métallique par exemple.
Cette technique donne accès aux mesures de constante diélectrique, de courant de claquage, densité de dopage etc..
Surface mesurables:
- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Fibre de carbone
- Couche USJ
- Jusqu'a 300mm de diamètre
Application :
- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)
