A PROPOS DE NOS Systèmes de mesures par contact Mercure
Les systèmes de mesure CV utilisent une goutte de mercure pour réaliser un contact doux sur divers types de matériaux. A l'inverse des mesures type Van Der Paw ou 4 pointes en ligne, cette technique permet de ne pas endommager la surface de l'échantillon à analyser.
Ce contact électrique formé localement peut être de type MOS, MIS ou Schottky et permet donc plusieurs formes de caractérisations électriques ne nécessitant aucune préparation via dépôt métallique par exemple.
Paramètres mesurables :
- Caractérisation des oxydes (Dit, Qbd, Vbd, R, Res, I-V, Vfb)
- Constante diélectrique (K)
- Epaisseur d'oxyde par C(V) ou I(V)
- Densité de défaut K-f (UHF)
- Implantation ionique (dose)
- Profondeur de pénétration de l'implantation
- Densité de dopant (épitaxie ou bulk)
- Profil topographique de couche USJ
- Test pseudo MOST
- Caractérisation ferroélectrique (K-E, P-E, K-f, K-T, Hystérésis)
- Durée de vie des dopants
Surfaces mesurables :
- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI ( Silicon on insulator)
- Oxyde de silicium
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Film de carbone
- Couche USJ
- Composants semi-conducteur
Applications :
• Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
• Profilage de la densité de dopage
• Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
• Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
• Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
• Etudes d'échantillons ferroélectriques
• Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)
