CARACTERISATION DE COUCHESSystèmes de mesures par contact Mercure

CV92MAppareil manuel C-V par contact mercure

Le modèle manuel CV92M, est une station manuelle permettant la caractérisation de couche semi-conductrice par contact mercure.
L'échantillon est positionné sur un chuck au-dessus d'une sonde contenant la goutte de mercure. Lorsque l'utilisateur actionne le bouton poussoir, la sonde se rapproche de l'échantillon et une infime goutte de mercure et libérée afin d'assurer le contact électrique. Les mouvements du chuck sont motorisés et un panneau de contrôle permet de lire sa position en temps réel. La sonde et le chuck connecté en BNC, permettent la communication avec un appareil source-mesure externe (qui peut être fourni).
CV92M est parfaitement adapté pour des utilisateurs qui cherche à faire de mesure via contact mercure à faible coût, de manière sécurisée et facile d'utilisation.

Surface mesurables:

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Fibre de carbone
- Couche USJ
- Jusqu'a 300mm de diamètre

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2
• Ultra répétable
• Différents type de mesure (1pt, Rayon, Ligne)

Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)

CVmap3093Appareil semi-automatique C-V par contact mercure

Les sytèmes CVmap semi-automatique peuvent effectuer des tracés C(V) et I(V) à divers fréquences (jusqu'à 10MHz) pour des larges gammes courant, sur des sites customisables. Ces systèmes permettent la mesure de manière ultra-répétable de différents paramètres physiques de nombreux types d'échantillons comme les SOI, les SiC les films à faible et à haut K, les oxydes extrêmement mince ou épais, les semi-conducteurs dopés, les couches USJ (densité de porteurs), les films de carbone.
La partie software permet la configuration de plusieurs type de mesure et l'affichage des résultats de manière simple et rapide. Nous avons donc accès aux épaisseurs du film isolant, aux constantes diélectriques, aux courants de fuite, aux densités d'implant ionique à faible dose, aux densités de dopage épitaxial mais aussi aux paramètres d'intégrité des oxides tels que leurs Qbd, TDDB, densité de défauts, tension de claquage et la distribution des pièges d'interface.
Grâce à des connexions à une station de sonde externe, un wafer avec des motifs de Si, d'Al ou d'une autre grille métallique peuvent également être testés et cartographiés le tout de manière entièrement sécurisé.

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2

Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)

CVmap3093ACAppareil automatique C-V par contact mercure

Les systèmes Full-Auto CVMAP permettent de former localement un contact électrique "doux" de type MOS,MIS ou Schottky permettant ainsi l'analyse des différents paramètres intrinsèques du matériau comme courant de claquage, densité de dopage, constante diélectrique (K,Qbd, TDDB) etc..
Grâce à son système cassette/cassette et la présence d'un aligneur automatique, le système va être capable de cartographier l'ensemble de la surface d'un wafer de 12 pouces de manière entièrement automatisée sans l'intervention de l'utilisateur. Le wafer et récupéré dans sa cassette, aligner et positionné sur le chuck puis mesuré. Une fois la mesure terminé, il est automatiquement remeis à sa place et au bon slot.
L'ensemble du test s'effectue de manière entièrement sécurisée puisqu'aucun contact direct n'est possible entre l'utilisateur et l'échantillon pendant la mesure.
A l'inverse des mesures type Van Der Paw ou 4 pointes en ligne, cette technique permet de ne pas endommager la couche surfacique du matériau à analyser tout en augmentant la précision sur la mesure

Surface mesurables:

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Fibre de carbone
- Couche USJ
- Jusqu'a 300mm de diamètre

Spécifications :

• Capacité mesurable : 0 à 20nF
• Plage de mesure de courant : 50fA à 1mA
• Taille d'échantillon : de 10x10mm à 300x300mm
• Aire minimale de contact : 2E-5 cm2

Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)

A PROPOS DE NOS Systèmes de mesures par contact Mercure

Les systèmes de mesure CV séries utilisent une goutte de mercure pour réaliser un contact doux sur divers types de matériaux. A l'inverse des mesures type Van Der Paw ou 4 pointes en ligne, cette technique permet de ne pas endommager la couche surfacique du matériau à analyser.
Ce contact électrique formé localement peut être de type MOS, MIS ou Schottky et permet donc
plusieurs formes de caractérisations électriques ne nécessitant aucune préparation via dépôt métallique par exemple.
Cette technique donne accès aux mesures de courant de claquage, densité de dopage, constante diélectrique (K,Qbd, TDDB) etc..

Surface mesurables:

- Silicium pure
- Carbure de silicium (SiC)
- SOI
- Film à faible et fort K
- Couche d'oxyde très fines
- Fibre de carbone
- Couche USJ
- Jusqu'a 300mm de diamètre

Application :

- Contrôle de l'intégrité des oxydes minces
- Profilage de la densité de dopage
- Mesures de résistivité de matériaux semi-isolants et fibre de carbone
- Caractérisation pseudo MOST des structures SOI
- Mesure sur films avec fort et faible K (couche USJ)
- Etudes d'échantillons ferroélectriques
- Caractérisation des nouveaux matériaux type carbure de silicium (SiC)