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CATEGORIE : Systèmes de mesures par Effet Hall

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A PROPOS DE NOS Systèmes de mesures par Effet Hall
Les systèmes de mesure par Effet Hall offrent une caractérisation ultra-rapide et haute précision des propriétés intrinsèques des matériaux conducteurs et semi-conducteurs. Grâce à la méthode de Van der Pauw, particulièrement adaptée aux couches minces, ils permettent d'analyser efficacement les performances électriques de matériaux complexes, même sur des géométries délicates.

En exploitant les forces de Lorentz, ces équipements mesurent et monitorent simultanément une dizaine de paramètres clés : mobilité des porteurs, concentration, résistivité, conductivité, coefficient Hall, et bien d'autres caractéristiques essentielles à la recherche, au développement et au contrôle qualité.

Conçus pour répondre aux exigences des laboratoires et des environnements industriels avancés, les systèmes de mesure par Effet Hall garantissent des résultats fiables sous différentes contraintes environnementales : température, champ magnétique, atmosphère contrôlée ou vide.
Une solution incontournable pour accélérer l'innovation dans les domaines des semi-conducteurs, des matériaux avancés et de l'électronique de nouvelle génération.

Il est ainsi possible de calculer :


• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristique principales :

• Taille d'échantillon variable de 5x5mm à 20x20mm
• Mesure possible en température : 77K - 770K (-196°C à 500°C)
• Mesure possible en champs magnétique variable : 0.25T - 0.9T
• Mesure possible sous illumination : R,G,B via Led ou UV/IR via adaptateur source externe
• Traçage de courbe I(V), I(R) - Permet de vérifier la qualité du contact ohmique
• Export des datas possible sous .csv (Excel)
• Précision & Reproductibilité : Méthode Van Der Pauw minimise le bruit électrique
• Système de table ultra-compact

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composants optoélectroniques
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymères conducteurs
- Dépôt d'oxydes
- Céramiques & Verres
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
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