A PROPOS DE NOS Systèmes de mesures par Effet Hall
Les systèmes de mesure par Effet Hall permettent la caractérisation ultra-rapide de plusieurs paramètres intrinsèques de matériaux conducteurs et semi-conducteurs.
Ils utilisent la méthode de Van Der Pauw, parfaitement adaptée aux mesures sur couches mince et les forces de Lorentz afin de monitorer une dizaine de caractéristique en simultané sous différentes contraintes environnementales.
Il est ainsi possible de calculer :
• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité
Caractéristique principales :
• Taille d'échantillon variable de 5x5mm à 30x30mm
• Mesure possible en température : 77K - 770K (-196°C à 500°C)
• Mesure possible en champs magnétique variable : 0.25T - 0.9T
• Utilisation d'Electro-aimant
• Mesure de l'effet Seebeck
• Aimant en configuration Halbach
• Mesure possible sous illumination : R,G,B via Led ou UV/IR via adaptateur source externe
• Traçage de courbe I(V), I(R) - Permet de vérifier la qualité du contact ohmique
• Export des datas possible sous .csv (Excel)
• Précision & Reproductibilité : Méthode Van Der Pauw minimise le bruit électrique
• Système de table ultra-compact
Applications :
- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composants optoélectroniques
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymères conducteurs
- Dépôt d'oxydes
- Céramiques & Verres
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
