RTP1200      Rapid Thermal Processor 1200°C

RTP1200 : Rapid Thermal Processor 1200°C RTP1200 : Rapid Thermal Processor 1200°C
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Référence

RTP1200

Désignation

Rapid Thermal Processor 1200°C

Description

Le RTP1200 est un système puissant et simple d'utilisation qui permet d'atteindre une très haute température rapidement grâce à 4 lampes halogène.

- Réglage de la vitesse de montée en température
- Système sous vide
- Injection de gaz possible
- Idéal pour optimisation de contacts

Spécifications techniques

Taille de l'échantillon

15x20 mm

Température maximum

1200 °C

Temps de montée

100°C/s °C/s

Précision

/- 0.3 °C °C

Type de lampe

Halogène 4x150W@15V (600W total)

Courant maximum

40 A

Tension d'alimentation

230V monophasé V

Refroidissement

Par ventillateur

Entrée de gaz

N2 et O2 (contrôleur non inclus)

Produits associés

Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

HMS5000Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

Le HMS5000 est un système de mesure par effet Hall motorisé dédié à la caractérisation électrique des matériaux semi-conducteurs par la méthode de Van der Pauw. Conçu pour s'adapter à des échantillons de compositions et de géométries variées, il permet l'extraction précise de nombreux paramètres électriques essentiels.
Compatible avec des mesures en température de 77 K à 350 K, le HMS5000 offre une solution complète pour l'analyse des couches minces semi-conductrices.

Grâce à sa grande polyvalence, le système convient aussi bien aux activités de recherche qu'aux applications de développement et de contrôle qualité dans les domaines des matériaux avancés et de la microélectronique.

Le HMS5000 intègre également un logiciel dédié permettant de vérifier la qualité des contacts ohmiques via le tracé automatique des courbes I-V, garantissant ainsi la fiabilité et la reproductibilité des mesures. Il permet aussi de gérer le mouvement des aimants et les rampes de températures pour tracer la réponse de votre échantillon.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
Mesure en température : 77K à 350K
Gamme de courant : 1nA - 20mA

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

HMS5300Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

Découvrez notre système d'effet Hall semi-automatique HMS5300, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces en température. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Son système semi-automatique de rampe en température et de mesures sous champs magnétique le rend totalement autonome le temps de la mesure.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :


• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK : Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350K : De 77K à 350K
- AHT55T3 : De 300K à 570K
- AHT55T5 : From 300K to 770K

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

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Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Son système semi-automatique de rampe en température et de mesures sous champs magnétique le rend totalement autonome le temps de la mesure.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité


Caractéristiques :


• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK : Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350K : De 77K à 350K
- AHT55T3 : De 300K à 570K
- AHT55T5 : From 300K to 770K

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure photonique par Effet Hall

HMS7000Système de mesure photonique par Effet Hall

Le HMS7000 Photonique va cette fois-ci utiliser la méthode de Van Der Pauw sous illumination pour mesurer la réponse de plusieurs paramètres internes du matériau sous différentes contraintes photoniques. Cet équipement est parfaitement adapté au monde du photo-voltaïque et à l'étude des semi-conducteurs photoélectrique.

Comme pour les autres séries HMS, il va caractériser :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité


Spécifications:

• Aimant fixe : 0.51T
• Module photonique "illumination visible" (LED R,G,B)
• Adaptateur source externe (UV, IR)

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Pour toute information, devis, commande ou demande de rendez-vous avec un spécialiste technico-commercial.
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