CARACTERISATION DE COUCHESFours de recuit rapide (RTP)

RTP1200 Rapid Thermal Processor 1200°C

Référence

RTP1200

Désignation

Rapid Thermal Processor 1200°C

APPLICATIONS

Croissance de couche électronique par RTP (Rapid Thermal Processor)

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Description

Le RTP1200 est un système puissant et simple d'utilisation qui permet d'atteindre une très haute température rapidement grâce à 4 lampes halogène.

- Réglage de la vitesse de montée en température
- Système sous vide
- Injection de gaz possible
- Idéal pour optimisation de contacts

DOCUMENTS

RTP1200 brochure (pdf)

Spécifications techniques

Taille de l'échantillon

15x20 mm

Température maximum

1200 °C

Temps de montée

100°C/s °C/s

Précision

+/- 0.3 °C °C

Type de lampe

Halogène 4x150W@15V (600W total)

Courant maximum

40 A

Tension d'alimentation

230V monophasé V

Refroidissement

Par ventillateur

Entrée de gaz

N2 et O2 (contrôleur non inclus)

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Le modèle HMS5000 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 350K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

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Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 570K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5300 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5500Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

Le modèle HMS5500 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 770K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5500 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K
- AHT55T5: From 300K to 770K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
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- Photovoltaïque

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Le HMS7000 Photonique va cette fois-ci utiliser la méthode de Van Der Pauw sous illumination pour mesurer la réponse de plusieurs paramètres internes du matériau sous différentes contraintes photoniques. Cet équipement est parfaitement adapté au monde du photo-voltaïque et à l'étude des semi-conducteurs photoélectrique.

Comme pour les autres séries HMS, il va caractériser :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité

Spécifications:

• Aimant fixe : 0.51T
• Module photonique "illumination visible" (LED R,G,B)
• Adaptateur source externe (UV, IR)

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
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