HMS3000      Système de mesure par Effet Hall manuel

HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel
HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel
HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel
HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel
HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel
HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel
HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel
HMS3000 : Système de mesure par Effet Hall manuel

Référence

HMS3000

Désignation

Système de mesure par Effet Hall manuel

Description

Le HMS3000 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

DOCUMENTS

Spécifications techniques

Taille de l'échantillon

5x5 à 25x25 mm

Epaisseur maximum de l'échantillon

2,5 mm

Puissance de l'aimant

0,5 T

Type d'aimant

Permanent

Matériau de l'aimant

Néodyme

Diamètre des aimants

50 mm

Mouvement de l'aimant

Manuel

Gamme de température

Ambiant et 77K

SMU

Interne

Gamme de courant

1nA à 20mA

Gamme de résistivité

10E-4 à 10E7 ohm.cm

Gamme de concentration

10E7 à 10E21 cm-3

Gamme de mobilité

1 à 10E7 cm2/Vs

Logiciel

Oui (Windows)

Licence

Multi-postes

Courbes IV

Oui

Calcul des paramètres

R, Res, Mob, Concentration, Hall

Rampe de température

Non

Export des données

CSV

Ordinateur

Non inclus (optionel)

Besoins électriques

230VAC - 50Hz - Mono - 1A

Porte échantillon inclus

SPCB01 (épaisseur 2.5mm max )

Produits associés

Porte-échantillon pour systèmes HMS

SPCBPorte-échantillon pour systèmes HMS

Ce porte-échantillon "rapide" est composé d'une carte PCB sur laquelle se fixent par clip l'échantillon à analyser (max 20x20mm )
- Quatre pointes à ressort plaquées or permettent le contact sur les cotés de l'échantillon (dans certains cas une goutte de soudure d'indium sera déposée en plus, selon le type de matériau)
- Montage sans soudure
Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

HMS5000Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

Le modèle HMS5000 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 350K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure par Effet Hall manuel  hautes températures

HMS3300Système de mesure par Effet Hall manuel hautes températures

Le HMS3300 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure par Effet Hall manuel  très hautes températures

HMS3500Système de mesure par Effet Hall manuel très hautes températures

Le HMS3500 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
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- Electrodes
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