CARACTERISATION DE COUCHESSystèmes de mesures par Effet HallPorte-échantillons

SPCB Porte-échantillon pour systèmes HMS

Référence

SPCB

Désignation

Porte-échantillon pour systèmes HMS

APPLICATIONS

Mesures d'effet Hall et autres paramètres

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Description

Optimisez vos campagnes de caractérisation grâce à nos porte-échantillons spécialement conçus pour les mesures d'effet-Hall.

Équipé de quatre contacts à ressort plaqués or (pogo-pins), il assure un contact fiable, reproductible et sans dommage avec les échantillons.
Grâce à la force de contact contrôlée des contacts à ressort, l'installation de l'échantillon est rapide et ne nécessite ni soudure ni fixation permanente. Cette conception garantit une excellente stabilité électrique tout en compensant les variations d'épaisseur et les tolérances dimensionnelles des matériaux testés.

Références courantes

SPCB-01 : Pour échantillon de 5 x 5 mm à 20 x 20 mm, épaisseur < 2 mm
SPCB-11 : Pour échantillon de 15 x 15 mm à 30 x 30 mm, épaisseur < 2 mm
SPCB-21 : Pour échantillon de 5 x 5 mm à 20 x 20 mm, épaisseur < 2 mm (HMS5000 seulement)

DOCUMENTS

SPCB hall sample board brochure (pdf)

Spécifications techniques

Taille de l'échantillon

5x5 à 25x25 (65x65 sur HMS3000) mm

Epaisseur

5,5 max mm

Type de contacts

4 pogo pins plaquées or

Température

Non

Compatibilité

HMS3000, HMS5X00/RTSK, HMS7000/RTSK

Produits associés

HMS3000Système de mesure par Effet Hall manuel

Découvrez notre système d'effet Hall manuel HMS3000, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille d'échantillon: 5x5mm à 20x20 mm
• Mesure à deux températures, ambiante et 77K
• Aimant simple ou double
• Chambre LN2
• Échantillon de référence ITO
• Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5000Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

Le HMS5000 est un système de mesure par effet Hall motorisé dédié à la caractérisation électrique des matériaux semi-conducteurs par la méthode de Van der Pauw. Conçu pour s'adapter à des échantillons de compositions et de géométries variées, il permet l'extraction précise de nombreux paramètres électriques essentiels.
Compatible avec des mesures en température de 77 K à 350 K, le HMS5000 offre une solution complète pour l'analyse des couches minces semi-conductrices.

Grâce à sa grande polyvalence, le système convient aussi bien aux activités de recherche qu'aux applications de développement et de contrôle qualité dans les domaines des matériaux avancés et de la microélectronique.

Le HMS5000 intègre également un logiciel dédié permettant de vérifier la qualité des contacts ohmiques via le tracé automatique des courbes I-V, garantissant ainsi la fiabilité et la reproductibilité des mesures. Il permet aussi de gérer le mouvement des aimants et les rampes de températures pour tracer la réponse de votre échantillon.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5300Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

Découvrez notre système d'effet Hall semi-automatique HMS5300, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces en température. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Son système semi-automatique de rampe en température et de mesures sous champs magnétique le rend totalement autonome le temps de la mesure.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK : Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350K : De 77K à 350K
- AHT55T3 : De 300K à 570K
- AHT55T5 : From 300K to 770K

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS5500Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

Découvrez notre système d'effet Hall semi-automatique HMS5500, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces en température. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

Son système semi-automatique de rampe en température et de mesures sous champs magnétique le rend totalement autonome le temps de la mesure.

Il est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Caractéristiques :

• Taille échantillon : 5x5mm - 20x20mm
• Double aimant motorisé : 0.5T
• Mesure en température : 77K à 350K
• Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK : Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350K : De 77K à 350K
- AHT55T3 : De 300K à 570K
- AHT55T5 : From 300K to 770K

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

HMS7000Système de mesure photonique par Effet Hall

Notre système d'effet Hall semi-automatique HMS7000 photonique, conçu pour l'étude et la caractérisation des propriétés électriques des matériaux semi-conducteurs et des couches minces sous illumination. Cet équipement pédagogique et expérimental permet d'analyser avec précision la mobilité des porteurs de charge, la concentration en porteurs, ainsi que la résistivité des échantillons.

Grâce à la mesure des tensions générées sous l'action des forces de Lorentz via son module d'aimant permanent, le système offre une compréhension concrète des phénomènes de transport électronique et des effets liés au dopage des matériaux. Compatible avec la méthode de Van der Pauw, il permet d'effectuer des mesures fiables sur des géométries variées et des films minces.

L'illumination photonique, utilisant 3 LED de couleurs différentes, génère des porteurs de charge supplémentaires dans le semi-conducteur (électrons/trous), ce qui améliore ou module la réponse Hall.

Robuste et simple d'utilisation, ce système effet Hall manuel est idéal pour les laboratoires d'enseignement supérieur, les centres de recherche et les applications de caractérisation en physique des semi-conducteurs et science des matériaux.

l est ainsi possible de calculer :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires (dopants)
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité, conductivité

Spécifications :

• Aimant fixe : 0.51T
• Module photonique "illumination visible" (LED R,G,B)
• Adaptateur source externe (UV, IR)

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque