SPCB      Porte-échantillon pour systèmes HMS

SPCB : Porte-échantillon pour systèmes HMS SPCB : Porte-échantillon pour systèmes HMS
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Référence

SPCB

Désignation

Porte-échantillon pour systèmes HMS

Description

Ce porte-échantillon "rapide" est composé d'une carte PCB sur laquelle se fixent par clip l'échantillon à analyser (max 20x20mm )
- Quatre pointes à ressort plaquées or permettent le contact sur les cotés de l'échantillon (dans certains cas une goutte de soudure d'indium sera déposée en plus, selon le type de matériau)
- Montage sans soudure

Références courantes

  • SPCB-01 : Pour échantillon de 5 x 5 mm à 20 x 20 mm, épaisseur < 2 mm
  • SPCB-11 : Pour échantillon de 15 x 15 mm à 30 x 30 mm, épaisseur < 2 mm
  • SPCB-21 : Pour échantillon de 5 x 5 mm à 20 x 20 mm, épaisseur < 2 mm (HMS5000 seulement)

Spécifications techniques

Taille de l'échantillon

5x5 à 25x25 (65x65 sur HMS3000) mm

Epaisseur

5,5 max mm

Type de contacts

4 pogo pins plaquées or

Température

Non

Compatibilité

HMS3000, HMS5X00/RTSK, HMS7000/RTSK

Produits associés

Système de mesure par Effet Hall manuel

HMS3000Système de mesure par Effet Hall manuel

Le HMS3000 est un appareil manuel de mesure par Effet Hall de résistivité, mobilité, concentration des porteurs, coefficient d'effet Hall...
Il utilise la méthode de Van Der Pauw et permet de caractériser des couches semi-conductrices de différentes épaisseurs
Cet équipement ultra-compact est compatible avec plusieurs kit d'aimant (0.31T, 0.37T, 0.51T, 1T) mais aussi avec un module aimant variable.
Le HMS3000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristiques:

- Taille d'échantillon: 5x5mm à 25x25 mm
- Mesure à deux températures, ambiante (t° ambiante) et 77K
- Aimant
- Chambre LN2 avec entonnoir
- Échantillon de référence ITO
- Porte-échantillons SPCB différents selon l'application

Module # EVM-100
Champ : 0,25 ~ 0,9 T à température ambiante
Champ : 0,25 ~ 0,5 T à température ambiante et 77 K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

HMS5000Système de mesure par Effet Hall semi-automatique en température

Le modèle HMS5000 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 350K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5000 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

HMS5300Système de mesure par Effet Hall semi-automatique hautes températures

Le modèle HMS5300 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 570K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5300 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.

Caractéristique:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

HMS5500Système de mesure par Effet Hall semi-automatique très hautes températures

Le modèle HMS5500 est un système de table compact qui utilise la méthode de Van Der Pauw pour extraire un certain nombre de paramètres internes sur des échantillons de composition et géométrie variable.
Compatible avec des mesures en température allant de 77K à 770K, cet équipement permet de caractériser la résisitivité, mobilité, densité de porteur de charges, coefficient de Hall d'une large gamme de couche mince semi-conductrice.
Le HMS5500 comprend un logiciel capable de vérifier la qualité des contacts ohmiques en traçant des courbes I-V.


Caractéristiques:

- Taille échantillon: 5x5mm - 30x30mm
- Aimant fixe : 0.55T
- Mesure en température froide
- Gamme de courant : 1nA - 20mA

Modules température compatibles :

- AMP55T-RTSK: Ambiant ou 77K
- AMP55T-SH80350R : De 77K à 350K
- AHT55T3: De 300K à 570K
- AHT55T5: From 300K to 770K

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
Système de mesure photonique par Effet Hall

HMS7000Système de mesure photonique par Effet Hall

Le HMS7000 Photonique va cette fois-ci utiliser la méthode de Van Der Pauw sous illumination pour mesurer la réponse de plusieurs paramètres internes du matériau sous différentes contraintes photoniques. Cet équipement est parfaitement adapté au monde du photo-voltaïque et à l'étude des semi-conducteurs photoélectrique.

Comme pour les autres séries HMS, il va caractériser :

• Mobilité de porteurs de charges
• Densité de porteurs majoritaires
• Le type de dopage (P/N)
• La tension de Hall / Coefficient de Hall
• Des résistances de surface, résistivité


Spécifications:

• Aimant fixe : 0.51T
• Module photonique "illumination visible" (LED R,G,B)
• Adaptateur source externe (UV, IR)

Applications:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque
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