SRS3      Wafer de calibration 3" certifié NIST

SRS3 : Wafer de calibration 3 SRS3 : Wafer de calibration 3

Référence

SRS3

Désignation

Wafer de calibration 3" certifié NIST

Description

Ce wafer permet de calibrer les systèmes de mesures de résistivité 4 pointes. Il possède la certification NIST.

Spécifications :

• Wafer 3" (75mm)
• Certification NIST valable 1 an

Références courantes

  • SRS3-0.002 : Résistivité de 0,002 ohm.cm
  • SRS3-0.01 : Résistivité de 0,01 ohm.cm
  • SRS3-0.03 : Résisitivité de 0,03 ohm.cm
  • SRS3-0.1 : Résistivité de 0,1 ohm.cm
  • SRS3-0.3 : Résistivité de 0,3 ohm.cm
  • SRS3-0.9 : Résistivité de 0,9 ohm.cm
  • SRS3-3 : Résistivité de 3 ohm.cm

DOCUMENTS

Spécifications techniques

Gamme de résistance surfacique

0,002 à 3 Ohm.cm

Taille du wafer

76,2 mm

Matériau

Silicium

Epaisseur

508 µm

Nombre de sites

1

Certification NIST

Oui

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Un levier manuel permet de faire un mouvement en Z de contact et non contact avec une répétabilité de l'ordre du micron. De plus, une molette de réglage située sur le dessus de l'appareil permet d'affiner avec précision le mouvement en Z.
L'échantillon à tester est monté sur un support mobile qui permet de se placer sous la tête de mesure facilement entre chaque point de mesure.
De plus, l'équipement dispose de plusieurs tailles de chuck allant de 4" à 12".

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

Spécifications:


• Mesure V/I, résistance de feuille, résistivité ou épaisseur
• Mapping
• Un micro-switch permet d'assurer l'injection du courant à partir du moment où toutes les pointes sont en contact.
• La mesure est effectuée par un appareil externe Keithley 2450.
• Logiciel permettant le traitement des données
• Création d'une courbe I/V
• Mesure bipolaire
• Export de données sous format Txt, Excel, CSV...

Le système de mesure utilise un logiciel de mesure et d'affichage des résultats qui permet l'exportation des données pour un traitement de données postérieur. Il est possible d'effectuer une cartographie de l'échantillon en fonction des résistivités ou des épaisseurs mesurées.
L'utilisateur saisit la taille et forme de l'échantillon, bord d'exclusion et nombre de point à tester. Une image graphique des points de mesure cibles est affichée. A la fin du test de tous les points, nous retrouvons la moyenne des valeurs mesurées, l'écart type ainsi que les maximums et minimums de mesure.
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Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

Spécifications :

• Un micro-switch permet d'assurer l'injection du courant à partir du moment où toutes les pointes sont en contact
• La mesure est effectuée par un appareil externe de type Keithley qui peut faire partie de la fourniture
• Le système peut être complété par le logiciel de mesure et d'affichage des résultats
• Parfait pour pour laboratoires, universités, centres de recherche... dans le domaine caractérisation de matériaux
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Spécifications:

• Mesure V/I, résistance de feuille, résistivité ou épaisseur
• Rapports Moyenne, Écart-type, Minimum, Maximum et 3Sigma pour l'ensemble de données
• Mesures du coefficient de température de résistance (TCR)
• Cartographie 2D automatisée, cartographie 3D et coupe transversale
• Ultra haute précision et répétabilité
• Cartographie comparative

L'option TCR

L'option Coefficient de température de résistance intègre le contrôle de la température de l'échantillon ainsi que le contrôle automatisé du courant injecté et les calculs de résistance.
Intégré à un système de chuck thermique, le test balaie automatiquement les températures sur une large gamme sans déplacer les pointes de test. Les mesures sont prises à chaque températures cibles et les résultats sont tracés sur un graphique. Le TCR est exprimé en parties par million (PPM).
Les utilisateurs définissent la plage de température, les paliers, et le delay pour chaque point de test avant d'effectuer une mesure. Une variété de chuck thermiques sont disponibles pour définir la plage et la résolution allant de la température ambiante à 300°C, avec une résolution de 1°.
Les données peuvent être imprimées ou exportées vers une feuille de calcul pour une analyse plus approfondie.



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Spécification:

• Gamme étendu jusqu'à 8E11 Ohm/sq.
• Différentes versions adaptées aux différentes gammes de résistance testées
• Plusieurs types de cartographie : 1pts, 5pts, 9pts, diagonale, carthésien, customisé etc..
• Algorithme de calcul puissant
• Compensation effet de bord, facteur géométrique
• Communication SEC II
• Version possible en Full-Automatique avec chargement de wafers via cassette et pré-aligner


Application:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
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Spécifications:

• Mesure V/I, résistance de feuille, résistivité ou épaisseur
• Rapports Moyenne, Écart-type, Minimum, Maximum et 3Sigma pour l'ensemble de données
• Mesures du coefficient de température de résistance (TCR)
• Cartographie 2D automatisée, cartographie 3D et coupe transversale
• Ultra haute précision et répétabilité
• Cartographie comparative

L'option TCR

L'option Coefficient de température de résistance intègre le contrôle de la température de l'échantillon ainsi que le contrôle automatisé du courant injecté et les calculs de résistance.
Intégré à un système de chuck thermique, le test balaie automatiquement les températures sur une large gamme sans déplacer les pointes de test. Les mesures sont prises à chaque températures cibles et les résultats sont tracés sur un graphique. Le TCR est exprimé en parties par million (PPM).
Les utilisateurs définissent la plage de température, les paliers, et le delay pour chaque point de test avant d'effectuer une mesure. Une variété de chuck thermiques sont disponibles pour définir la plage et la résolution allant de la température ambiante à 300°C, avec une résolution de 1°.
Les données peuvent être imprimées ou exportées vers une feuille de calcul pour une analyse plus approfondie.
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Spécification:

• Différentes versions adaptées aux différentes gammes de résistance testées
• Plusieurs types de cartographie : 1pts, 5pts, 9pts, diagonale, carthésien, customisé etc..
• Algorithme de calcul puissant
• Compensation effet de bord, facteur géométrique
• Communication SECS II
• Version possible en Full-Automatique avec chargement de wafers via cassette et pré-aligner


Application:

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
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Un levier manuel permet de faire un mouvement en Z de contact et non contact avec une répétabilité de l'ordre du micron. De plus, une molette de réglage située sur le dessus de l'appareil permet d'affiner avec précision le mouvement en Z.
L'échantillon à tester est monté sur un support mobile qui permet de se placer sous la tête de mesure facilement entre chaque point de mesure.
De plus, l'équipement dispose de plusieurs tailles de chuck allant de 4" à 12".

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque


Spécifications:


• Mesure V/I, résistance de feuille, résistivité ou épaisseur
• Création d'une courbe I/V
• Mesure bipolaire
• Export de données sous format Txt, Excel, CSV...
• Un micro-switch permet d'assurer l'injection du courant à partir du moment où toutes les pointes sont en contact.
• La mesure est effectuée par un appareil externe Keithley 2635B.
• Logiciel permettant le traitement des données

Le système de mesure utilise un logiciel de mesure et d'affichage des résultats qui permet l'exportation des données pour un traitement de données postérieur. Il est possible d'effectuer une cartographie de l'échantillon en fonction des résistivités ou des épaisseurs mesurées.
L'utilisateur saisit la taille et forme de l'échantillon, bord d'exclusion et nombre de point à tester. Une image graphique des points de mesure cibles est affichée. A la fin du test de tous les points, nous retrouvons la moyenne des valeurs mesurées, l'écart type ainsi que les maximums et minimums de mesure.
Stand de mesure 4 pointes grande surface

S303Stand de mesure 4 pointes grande surface

Le système se compose d'une potence de maintien de la tête 4PP avec levier de descente et d'un plateau de réception pour wafer 200 ou 300 mm. Le positionnement de l'échantillon est manuel ainsi que la mise en contact de la tête 4 pointes sur l'échantillon.

Applications :

- Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ZnO, TCOs
- Composant optoélectronique
- Nanomatériaux
- Capteurs, MEMS
- Polymère conducteur
- Dépôt d'oxyde
- Céramique & Verre
- Batteries
- Electrodes
- Photovoltaïque

Spécifications :

• Un micro-switch permet d'assurer l'injection du courant à partir du moment où toutes les pointes sont en contact
• La mesure est effectuée par un appareil externe de type Keithley qui peut faire partie de la fourniture
• Le système peut être complété par le logiciel de mesure et d'affichage des résultats
• Parfait pour pour laboratoires, universités, centres de recherche... dans le domaine caractérisation de matériaux
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